Forskning ved Københavns Universitet - Københavns Universitet

Forside

Electrical band-gap energy of porous silicon and the band offsets at the porous-silicon/crystalline-silicon heterojunction measured versus sample temperature

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  • Jacob Trier Frederiksen
  • P.G. Melcher
  • E. Veje
OriginalsprogEngelsk
TidsskriftPhysical Review B. Condensed Matter and Materials Physics
Vol/bind58
Udgave nummer12
Sider (fra-til)8020-8024
Antal sider4
ISSN2469-9950
DOI
StatusUdgivet - 15 sep. 1998

ID: 34330829